此前就有媒体报道，台积电（TSMC）将在2022年下半年量产N3制程节点，并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺，量产时间为2023年下半年。相比之下，三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，并在2022年上半年量产第一代3nm工艺。
台积电总裁魏哲家曾表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，是为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。在台积电3nm工艺技术推出的时候，将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，N3制程节点将成为台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。N3E作为N3的扩展，将拥有更好的性能和功耗表现。
据TechTaiwan报道，台积电近期已经在Fab 18中启动了3nm芯片的试生产，按照时间表，第一批3nm芯片将会在2023年初出货。台积电N3制程节点专为智能手机和高性能计算（HPC）芯片而设计，在N5制程节点上进一步应用极紫外光刻（EUV）技术，光罩层数将超过20层。台积电承诺N3工艺相比N5工艺，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。
虽然早有传闻英特尔和苹果已率先获得台积电N3制程节点的产能，前者会将该工艺使用在2023年发布的Meteor Lake上，制造GPU模块。据DigiTimes报道，由于台积电第一批N3制程节点的产能不到6万片晶圆，到2023年上半年，月产量将提高到4万片晶圆以上，产能非常有限。近期苹果和英特尔正在争夺有限的N3制程节点产能，英特尔高层人员甚至亲自到中国台湾与台积电管理层见面，希望进一步拉近关系争取更多产能配额，并商谈N2制程节点的合作。
【来源：超能网】
