来源：新浪VR
中国晶圆代工厂中芯国际（SMIC）和LSI制造商Innosilicon宣布，他们已经完成了使用前者的N + 1工艺技术制造的第一款国产芯片的数字设计。根据中芯国际的《梁梦颂》，在效率方面，该公司的N + 1工艺与台积电的7nm节点“几乎相同”。台积电的N7级节点是世界上最先进的节点，仅次于其5nm EUV工艺，这本身就是一个大胆的主张。
但是，仔细研究一下基础知识，很明显，尽管N + 1相当有效，但就性能和密度而言，还远远不够。与SMIC自己的14nm工艺相比，N + 1降低了57%的功耗，逻辑芯片面积减少了63%。但是，性能提升仅为20%左右。相比之下，TSMC的7nm节点与14nm节点相比，性能提高了35%，功率效率提高了55%，密度提高了3.3倍。
另一个问题是，中芯国际N + 1工艺的生产成本比台积电7nm工艺的生产成本高得多，后者与产量直接相关。要再提高一两年的产量。因此，我们正在研究2021年甚至2022年的量产。
这主要是由于中芯国际被迫使用193nm扫描仪，与台积电的7nm（ASML）扫描仪相比，它需要更多的生产步骤，掩模和原材料。
中芯国际（SMIC）希望在其N + 2节点上引入EUV技术，但美国最近的限制使其搁置。消息人士称，中芯国际已经获得了EUV步进扫描系统，但由于制裁，该系统尚未安装。
有趣的是，在实际开始批量生产时，与其他高级流程相比，N + 1流程的效果如何。但是，请记住，届时台积电将开始量产其3nm和2nm工艺。
